买卖IC网 >> 产品目录49241 >> 2SK536-TB-E MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP datasheet 分离式半导体产品
型号：

2SK536-TB-E

库存数量：可订货
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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产品目录绘图 CP Package N-Channel & RF Fets, Top
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 欧姆 @ 10mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） -
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 15pF @ 10V
功率 - 最大 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 3-CP
包装 标准包装
产品目录页面 1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 869-1110-6
相关资料
属性
链接
代理商 2SK536-TB-E
2SK537
2SK539
2SK543
2SK543/CJ4
2SK543-4
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  • 2SK536-TB-E 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价